ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ, ОСАЖДАЕМЫХ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ
Климович И. М.,
Романов И. А.,
Комаров Ф. Ф.,
Зайков В. А.,
Власукова Л. А.,
Осин Ю. Н.,
Рогов А. М.,
Воробьев В. В.,
Степанов А. Л.
2017
Методами атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии, а также спектрофотометрии исследованы морфология поверхности и оптические характеристики тонких Si-покрытий, сформированных методом магнетронного распыления. Показано, что при контролируемой вариации технологических параметров магнетронного распыления таких, как температура подложки и потенциал смещения, можно менять морфологию поверхности пленок Si. Для некоторых режимов осаждения обнаружено появление на поверхности нитевидных структур и/или круглых углублений, изменения положения минимумов и максимумов в оптических спектрах отражения и пропускания.
Климович И. М., Романов И. А., Комаров Ф. Ф., Зайков В. А., Власукова Л. А., Осин Ю. Н., Рогов А. М., Воробьев В. В., Степанов А. Л. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ, ОСАЖДАЕМЫХ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ. Доклады Национальной академии наук Беларуси. 2017;61(6):35-41.
Цитирование
Список литературы
1. Немчинова, Н. В. Кремний в XXI веке / Н. В. Немчинова, В. Э. Клёц, А. И. Непомнящих // Фундаментальные исследования. – 2006. – № 12. – С. 13–17.
2. Анализ рамановских спектров аморфно-нанокристаллических пленок кремния / С. В. Гайслер [и др.] // Физика твердого тела. – 2004. – Т. 46, № 8. – С. 1484–1488.
3. Magnetron sputtering – Milestones of 30 years / G. Bräuer [et al.] // Vacuum. – 2010. – Vol. 84, N 12. – P. 1354–1359. doi.org/10.1016/j.vacuum.2009.12.014
4. Growth and structural properties of silicon on Ag films prepared by 40.68 MHz very-high-frequency magnetron sputtering / J. Guo [et al.] // Plasma Science and Technology. – 2017. – Vol. 19, N 7. – 075502 (8 pp). doi.org/10.1088/2058-6272/ aa6395
5. Effect of driving frequency on the structure of silicon grown on Ag (111) films by very-high-frequency magnetron sputtering / J. Guo [et al.] // Chinese Physics B. – 2017. – Vol. 26, N 6. – 065207 (5 pp). doi.org/10.1088/1674-1056/26/6/065207
6. Silicon nanowires prepared by hydrogen-assisted rf-magnetron sputtering on bismuth-coated ITO glass / H. Wu [et al.] // Materials Letters. – 2017. – N 188. – P. 312–315. doi.org/10.1016/j.matlet.2016.09.049
7. Заверюхин, Б. Н. Изменение коэффициента отражения излучения от поверхности полупроводников в спектральном диапазоне λ = 0,2–20 мкм под воздействием ультразвуковых волн / Б. Н. Заверюхин, Н. Н. Заверюхина, О. М. Турсункулов // Письма в Журнал технической физики. – 2002. – Т. 28, № 18. – С. 1–12.
8. Textured silicon: A selective absorber for solar thermal conversion / J. I. Gittleman [et al.] // Applied Physics Letters. – 1979. – Vol. 35, N 10. – P. 742–744. doi.org/10.1063/1.90953
9. Micro- and Nanostructured Surfaces for Selective Solar Absorption / I. E. Khodasevych [et al.] // Advanced Optical Materials. – 2015. – Vol. 3, N 7. – P. 852–881. doi.org/10.1002/adom.201500063
10. Kurtin, S. Ion implantation damage of silicon as observed by optical reflection spectroscopy in the 1 to 6 eV region / S. Kurtin, G. A. Shifrin, T. C. McGill // Applied Physics Letters. – 1969. – Vol. 14, N 7. – P. 223–225. doi.org/10.1063/1.1652788
Похожие публикации