17 Климович И. М. Романов И. А. Комаров Ф. Ф. Зайков В. А. Власукова Л. А. Осин Ю. Н. Рогов А. М. Воробьев В. В. Степанов А. Л. магнетронное осаждение Si-покрытия атомно-силовая микроскопия сканирующая электронная микроскопия спектры отражения и пропускания 2017 2018-01-21 Доклады Национальной академии наук Беларуси Методами атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии, а также спектрофотометрии исследованы морфология поверхности и оптические характеристики тонких Si-покрытий, сформированных методом магнетронного распыления. Показано, что при контролируемой вариации технологических параметров магнетронного распыления таких, как температура подложки и потенциал смещения, можно менять морфологию поверхности пленок Si. Для некоторых режимов осаждения обнаружено появление на поверхности нитевидных структур и/или круглых углублений, изменения положения минимумов и максимумов в оптических спектрах отражения и пропускания.  https://www.academjournals.by/publication/2837 https://www.academjournals.by/files/2821