Структурные и оптические характеристики гетероструктур SiC/Si, полученных методом быстрой вакуумно-термической карбидизации кремния
2022
Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено, что быстрая вакуумнотермическая карбидизация кремния при 1100 °C приводит к формированию слоев кубического карбидa кремния (SiC). Полоса ИК-спектра пропускания при 798 см–1, соответствующая валентному колебанию Si-C, и максимум спектра комбинационного рассеяния 793 см–1, соотносимый с поперечной оптической фононной модой SiC, подтверждают формирование слоя кубического политипа SiC. Методом ИК-спектроскопии обнаружена полоса поглощения Si-O-Si 1100 см–1. Определена зависимость коэффициента пропускания от волнового числа.
Лобанок М. В., Мухаммад А. И., Гайдук П. И. Структурные и оптические характеристики гетероструктур SiC/Si, полученных методом быстрой вакуумно-термической карбидизации кремния. Журнал прикладной спектроскопии. 2022;89(2):204-209. https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-2-204-209
Цитирование
Список литературы