Лобанок М. В., Полонский Н. В., Гайдук П. И. Фотоэлектрические характеристики гетероструктур SiC/Si. Журнал прикладной спектроскопии. 2023;90(5):775-779.
1. G. Ferro. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., N 40 (2015) 56—76, https://www.tandfonline.com/doi/abs/10.1080/10408436.2014.940440
2. W. R. Chang, Y. K. Fang, S. F. Ting, Y. S. Tsair, C. N. Chang, C. Y. Lin, S. F. Chen. IEEE Electron. Dev. Lett., 24, N 9 (2003) 565—567, https://ieeexplore.ieee.org/document/1224519
3. A. Aldalbahi, E. Li, M. Rivera, R. Velazquez, T. Altalhi, X. Peng, P. X. Feng. Sci Rep., 6 (2016) 23457, https://www.nature.com/articles/srep23457
4. Y. Chen, Y. Francescato, J. D. Caldwell, V. Giannini, T. W. W. Maß, O. J. Glembocki, F. J. Bezares, T. Taubner, R. Kasica, M. Hong, S. A. Maier. ACS Photon., 1 (2014) 718—724, https://pubs.acs.org/doi/10.1021/ph500143u
5. J. Fan, P. K. Chu. General Properties of Bulk SiC in Silicon Carbide Nanostructures: Fabrication, Structure, and Properties, Ch. 2, Springer Int. Publ., Switzerland (2014) 7—114, https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-319-08726-9
6. M. Bosi, C. Ferrari, D. Nilsson, P. J. Ward. Crystal. Eng. Comm., 18 (2016) 7478—7486, https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/CE/C6CE01388K
7. M. Zimbone, M. Mauceri, G. Litrico, E. G. Barbagiovanni, C. Bongiorno, F. La Via. J. Crystal Growth, 498 (2018) 248—257, https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.06.003
8. I. A. Skibarko, O. V. Milchanin, P. I. Gaiduk, F. F. Komarov, J. Marks, B Pastuszka, A. Iller, R. Diduszko. Inst. Phys. Conf. Ser., 166 (1999) 465—469
9. М. В. Лобанок. Изв. Гомельского гос. ун-та имени Ф. Скорины, № 6 (2022) 124—129
10. L. A. Falkovsky, J. M. Bluet, J. Camassel. Phys. Rev. B, 57 (1998) 11283, https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.57.11283
11. И. Г. Аксянов, М. Е. Компан, И. В. Кулькова. ФТТ, 52 (2009) 1724—1728, http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/1957
12. F. A. Johnson. Proc. Phys. Soc., 73 (1959) 265, https://iopscience.iop.org/article/10.1088/03701328/73/2/315
13. I. H. Campbell, P. M. Fauchet. Solid State Comm., 58 (1986) 739, https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/0038109886905132
14. А. С. Гращенко, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина, С. А. Кукушкин. ФТП, 51, № 5 (2017) 651—658, https://journals.ioffe.ru/articles/44423
15. V. I. Vlaskin, L. I. Berezhinsky, C. I. Vlaskina, D. H. Shin, K.-H. Kwon. J. Korean Phys. Soc., 42 (2003) 391—393
16. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах, пер. с англ., Москва, Мир (1982)
17. E. Janzén, I. G. Ivanov, N. T. Son, B. Magnusson, Z. Zolnai, A. Henry, J. P. Bergman, L. Storasta, F. Carlsson. Phys. B, Cond. Matter (2003) 340—342, https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.001
18. A. A. Lebedev. Semicond., 33 (1999) 107—130, https://doi.org/10.1134/1.1187657
19. F. Zhang. Sci. China Phys. Mech. Astron., 65 (2022) 107331, https://doi.org/10.1007/s11433-022-1941-5
20. M. V. Lobanok, A. I. Mukhammad, P. I. Gaiduk. J. Appl. Spectr., 89 (2022) 256—260, https://doi.org/10.1007/s10812-022-01352-2
21. В. В. Евстропов, И. Ю. Линьков, Я. В. Морозенко, Ф. Г. Пикус. ФТП, 26 (1992) 969—978
22. Д. Б. Шустов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, Д. К. Нельсон, А. А. Ситникова, М. В. Заморянская. ФТП, 47 (2013) 1279—1282, http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/5082
23. S. Castelletto, B. Johnson, V. Ivády, N. Stavrias, T. Umeda, A. Gali, T. Ohshima. Nature Mater., 13 (2014) 151—156, https://doi.org/10.1038/nmat3806
