%0 article
%A Лобанок М. В., 
%A Полонский Н. В., 
%A Гайдук П. И., 
%T Фотоэлектрические характеристики гетероструктур SiC/Si
%D 2023
%J Журнал прикладной спектроскопии
%X Эпитаксиальные слои SiC толщиной 80 нм на Si-подложке выращены методом молекулярнолучевой эпитаксии при 950 °C. Спектры комбинационного рассеяния света содержат пик при 793 см–1, что соответствует поперечной оптической фононной моде кубического политипа SiC. Показано, что увеличение фототока в областях 1.25—1.4 и 1.5—2.0 эВ связано с дефектами в гетероструктуре SiC/Si. Обнаружено, что спектры фотолюминесценции гетероструктур SiC/Si и Pt2Si/SiC/Si содержат две основные полосы излучения в синей (2.8 эВ) и красной (1.9 эВ) областях.
%U https://www.academjournals.by/publication/15432