RT - article
SR - Electronic
T1 - Фотоэлектрические характеристики гетероструктур SiC/Si
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2023-11-25
A1 - Лобанок М. В., 
A1 - Полонский Н. В., 
A1 - Гайдук П. И., 
YR - 2023
UL - https://www.academjournals.by/publication/15432
AB - Эпитаксиальные слои SiC толщиной 80 нм на Si-подложке выращены методом молекулярнолучевой эпитаксии при 950 °C. Спектры комбинационного рассеяния света содержат пик при 793 см–1, что соответствует поперечной оптической фононной моде кубического политипа SiC. Показано, что увеличение фототока в областях 1.25—1.4 и 1.5—2.0 эВ связано с дефектами в гетероструктуре SiC/Si. Обнаружено, что спектры фотолюминесценции гетероструктур SiC/Si и Pt2Si/SiC/Si содержат две основные полосы излучения в синей (2.8 эВ) и красной (1.9 эВ) областях.