@article{Лобанок М. В.2023-11-25,
author = { Лобанок М. В.,  Полонский Н. В.,  Гайдук П. И.},
title = {Фотоэлектрические характеристики гетероструктур SiC/Si},
year = {2023},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Эпитаксиальные слои SiC толщиной 80 нм на Si-подложке выращены методом молекулярнолучевой эпитаксии при 950 °C. Спектры комбинационного рассеяния света содержат пик при 793 см–1, что соответствует поперечной оптической фононной моде кубического политипа SiC. Показано, что увеличение фототока в областях 1.25—1.4 и 1.5—2.0 эВ связано с дефектами в гетероструктуре SiC/Si. Обнаружено, что спектры фотолюминесценции гетероструктур SiC/Si и Pt2Si/SiC/Si содержат две основные полосы излучения в синей (2.8 эВ) и красной (1.9 эВ) областях.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15432},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15391},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}