RT - article
SR - Electronic
T1 - Структурные и оптические характеристики гетероструктур SiC/Si, полученных методом быстрой вакуумно-термической карбидизации кремния
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2022-03-23
DO - 10.47612/0514-7506-2022-89-2-204-209
A1 - Лобанок М. В., 
A1 - Мухаммад А. И., 
A1 - Гайдук П. И., 
YR - 2022
UL - https://www.academjournals.by/publication/15481
AB - Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено, что быстрая вакуумнотермическая карбидизация кремния при 1100 °C приводит к формированию слоев кубического карбидa кремния (SiC). Полоса ИК-спектра пропускания при 798 см–1, соответствующая валентному колебанию Si-C, и максимум спектра комбинационного рассеяния 793 см–1, соотносимый с поперечной оптической фононной модой SiC, подтверждают формирование слоя кубического политипа SiC. Методом ИК-спектроскопии обнаружена полоса поглощения Si-O-Si 1100 см–1. Определена зависимость коэффициента пропускания от волнового числа.