17 Лобанок М. В. Мухаммад А. И. Гайдук П. И. карбид кремния гетероструктура SiC/Si инфракрасная спектроскопия спектроскопия комбинационного рассеяния света коэффициент пропускания 2022 2022-03-23 10.47612/0514-7506-2022-89-2-204-209 Журнал прикладной спектроскопии Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено, что быстрая вакуумнотермическая карбидизация кремния при 1100 °C приводит к формированию слоев кубического карбидa кремния (SiC). Полоса ИК-спектра пропускания при 798 см–1, соответствующая валентному колебанию Si-C, и максимум спектра комбинационного рассеяния 793 см–1, соотносимый с поперечной оптической фононной модой SiC, подтверждают формирование слоя кубического политипа SiC. Методом ИК-спектроскопии обнаружена полоса поглощения Si-O-Si 1100 см–1. Определена зависимость коэффициента пропускания от волнового числа. https://www.academjournals.by/publication/15481 https://www.academjournals.by/files/15439