БИСТАБИЛЬНЫЕ ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ p-ТИПА

ЛАСТОВСКИЙ С. Б., МАРКЕВИЧ В. П., КОРШУНОВ Ф. П., ЯКУШЕВИЧ А. С., МУРИН Л. И., МАКАРЕНКО Л. Ф.
2015

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния p-типа, облученных быстрыми электронами и α-частицами. Обнаружен новый бистабильный радиационно-индуцированный центр с глубокими уровнями вблизи середины запрещенной зоны Si. Определены основные характеристики данного центра и высказаны предположения о его возможной природе.

ЛАСТОВСКИЙ С. Б., МАРКЕВИЧ В. П., КОРШУНОВ Ф. П., ЯКУШЕВИЧ А. С., МУРИН Л. И., МАКАРЕНКО Л. Ф. БИСТАБИЛЬНЫЕ ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ p-ТИПА. Доклады Национальной академии наук Беларуси. 2015;59(4):57-62.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник