%0 article
%A ЛАСТОВСКИЙ С. Б., 
%A МАРКЕВИЧ В. П., 
%A КОРШУНОВ Ф. П., 
%A ЯКУШЕВИЧ А. С., 
%A МУРИН Л. И., 
%A МАКАРЕНКО Л. Ф., 
%T БИСТАБИЛЬНЫЕ ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ p-ТИПА
%D 2015
%J Доклады Национальной академии наук Беларуси
%X Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния p-типа, облученных быстрыми электронами и α-частицами. Обнаружен новый бистабильный радиационно-индуцированный центр с глубокими уровнями вблизи середины запрещенной зоны Si. Определены основные характеристики данного центра и высказаны предположения о его возможной природе.
%U https://www.academjournals.by/publication/3042