Влияние положения уровня Ферми  на отжиг дефекта межузельный атом углерода в кремнии

Коршунов Ф. П.; Ластовский С. Б.; Якушевич А. С.; Маркевич В. П.; Мурин Л. И.

Влияние положения уровня Ферми на отжиг дефекта межузельный атом углерода в кремнии

Коршунов Ф. П., Ластовский С. Б., Якушевич А. С., Маркевич В. П., Мурин Л. И.

2018

https://doi.org/10.29235/1561-8323-2018-62-5-540-545

Методом DlTS изучено влияние зарядового состояния межузельного углерода (Сi ) на кинетику его отжига в облученных быстрыми электронами и α-частицами п+–р-структурах, изготовленных на кристаллах кремния, легированных бором (NB = 5 · 1013 и 2,5 · 1015 см–3). Отжиги проводились как с приложением обратного смещения, так и без смещения. Показано, что в положительном зарядовом состоянии дефекта энергия активации отжига составляет ΔE = 0,88 эВ, а в нейтральном зарядовом состоянии ΔE = 0,73 эВ. Отличаются и значения частотных факторов, даже при одной и той же концентрации стоков для Сi.

Коршунов Ф. П., Ластовский С. Б., Якушевич А. С., Маркевич В. П., Мурин Л. И. Влияние положения уровня Ферми на отжиг дефекта межузельный атом углерода в кремнии. Доклады Национальной академии наук Беларуси. 2018;62(5):540-545. https://doi.org/10.29235/1561-8323-2018-62-5-540-545

Цитирование

Список литературы

1. Davies, G. Carbon in monocrystalline silicon / G. Davies, R. C. Newman // Handbook on semiconductors; eds. T. S. Moss, S. Mahajan. - Amsterdam, 1994. - Vol. 3. - P. 1557-1643. https://doi.org/10.1016/s0080-8784(08)60251-3

2. Reactions of interstitial carbon with impurities in silicon particle detectors / L. F. Makarenko [et al.] // J. Appl. Phys. -2007. - Vol. 101, N 11. - P. 113537(1-6). https://doi.org/10.1063/L2745328

3. Bean, A. R. Low temperature electron irradiation of silicon containing carbon / A. R. Bean, R. C. Newman // Solid State Commun. - 1970. - Vol. 8, N 3. - P. 175-177. https://doi.org/10.1016/0038-1098(70)90074-8

4. Watkins, G. D. EPR observation of the isolated interstitial carbon atom in silicon / G. D. Watkins, K. L. Brower // Phys. Rev. Lett. - 1976 - Vol. 36, N 22. - P. 1329-1332. https://doi.org/10.1103/physrevlett.36.1329

5. Song, L. W. EPR identification of the single-acceptor state of interstitial carbon in silicon / L. W. Song, G. D. Watkins // Phys. Rev. B. - 1990 - Vol. 42, N 9. - P. 5759-5764. https://doi.org/10.1103/physrevb.42.5759

6. Electronic and vibrational absorption of interstitial carbon in silicon / R. A. Woolley [et al.] // Mater. Sci. Forum. -1986. - Vol. 10-12. - P. 929-934. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.10-12.929

7. Thonke, K. New photoluminescence defect spectra in silicon irradiated at 100 K: observation of interstitial carbon / K. Thonke, A. Teschner, R. Sauer // Solid State Commun. - 1987. - Vol. 61, N 4. - P. 241-244. https://doi.org/10.1016/0038-1098(87)91010-6

8. Carbon interstitial in electron-irradiated silicon / Y. H. Lee [et al.] // Solid State Commun. - 1977. - Vol. 21, N 1. -P. 109-111. https://doi.org/10.1016/0038-1098(77)91489-2

9. Kimerling, L. C. Defect states in proton-bombarded silicon at T < 300 K / L. C. Kimerling, P. Blood, W. M. Gibson // Defects and radiation effects in semiconductors, 1978 / ed. J. H. Albany. - London; Bristol: Institute of Physics, 1979. -Ser. 46. - P. 273-280.

10. Djerassi, H. Effects of 60Co y-rays on high resistivity p-type Si / H. Djerassi, J. Merlo-Flores, J. Messier // J. Appl. Phys. - 1966. - Vol. 37, N 12. - P. 4510-4516. https://doi.org/10.1063/L1708071

11. Электрически активные дефекты межузельного типа в облученном n-кремнии / А. Г Литвинко [и др.] // ФТП. -1980. - Т. 14, № 4. - С. 776-780.

12. Efficiency of interaction of interstitial carbon with oxygen, tin, and substitution carbon in irradiated silicon / M. I. Gritsenko [et al.] // Ukr. J. Phys. - 2010. - Vol. 55, N 2. - P. 222-227.

13. Studies of defects introduced by electron irradiation at 4.2 K in p-silicon by thermally stimulated capacitance technique / J. C. Brabant [et al.] // J. Appl. Phys. - 1976. - Vol. 47, N 11. - P. 4809-4813. https://doi.org/10.1063/L322522

14. Tipping, A. K. The diffusion coefficient of interstitial carbon in silicon / A. K. Tipping, R. C. Newman // Semicond. Sci. Technol. - 1987. - Vol. 2, N 5. - P. 315-317. https://doi.org/10.1088/0268-1242/2/5/013

15. Green, M. A. Intrinsic concentration, effective densities of states, and effective mass in silicon / M. A. Green // J. Appl. Phys. - 1990. - Vol. 67, N 6. - P. 2944-2954. https://doi.org/10.1063/L345414

Источник

Информация

Автор

Коршунов Ф. П. Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Ластовский С. Б. Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Якушевич А. С. Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Маркевич В. П. Университет г. Манчестер
Мурин Л. И. Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению

Страницы

540-545

Год издания

2018

Ключевые слова

Коллекции

Доклады Национальной академии наук Беларуси