RT - article
SR - Electronic
T1 - Влияние положения уровня Ферми  на отжиг дефекта межузельный атом углерода в кремнии
JF - Доклады Национальной академии наук Беларуси
SP - 2018-10-29
DO - 10.29235/1561-8323-2018-62-5-540-545
A1 - Коршунов Ф. П., 
A1 - Ластовский С. Б., 
A1 - Якушевич А. С., 
A1 - Маркевич В. П., 
A1 - Мурин Л. И., 
YR - 2018
UL - https://www.academjournals.by/publication/2720
AB - Методом DlTS изучено влияние зарядового состояния межузельного углерода (Сi ) на кинетику его отжига в облученных быстрыми электронами и α-частицами п+–р-структурах, изготовленных на кристаллах кремния, легированных бором (NB = 5 · 1013 и 2,5 · 1015 см–3). Отжиги проводились как с приложением обратного смещения, так и без смещения. Показано, что в положительном зарядовом состоянии дефекта энергия активации отжига составляет ΔE = 0,88 эВ, а в нейтральном зарядовом состоянии ΔE = 0,73 эВ. Отличаются и значения частотных факторов, даже при одной и той же концентрации стоков для Сi.