@article{Коршунов Ф. П.2018-10-29,
author = { Коршунов Ф. П.,  Ластовский С. Б.,  Якушевич А. С.,  Маркевич В. П.,  Мурин Л. И.},
title = {Влияние положения уровня Ферми  на отжиг дефекта межузельный атом углерода в кремнии},
year = {2018},
doi = {10.29235/1561-8323-2018-62-5-540-545},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Методом DlTS изучено влияние зарядового состояния межузельного углерода (Сi ) на кинетику его отжига в облученных быстрыми электронами и α-частицами п+–р-структурах, изготовленных на кристаллах кремния, легированных бором (NB = 5 · 1013 и 2,5 · 1015 см–3). Отжиги проводились как с приложением обратного смещения, так и без смещения. Показано, что в положительном зарядовом состоянии дефекта энергия активации отжига составляет ΔE = 0,88 эВ, а в нейтральном зарядовом состоянии ΔE = 0,73 эВ. Отличаются и значения частотных факторов, даже при одной и той же концентрации стоков для Сi.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/2720},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/2704},
journal = {Доклады Национальной академии наук Беларуси},
}