%0 article
%A Коршунов Ф. П., 
%A Ластовский С. Б., 
%A Якушевич А. С., 
%A Маркевич В. П., 
%A Мурин Л. И., 
%T Влияние положения уровня Ферми  на отжиг дефекта межузельный атом углерода в кремнии
%D 2018
%R 10.29235/1561-8323-2018-62-5-540-545
%J Доклады Национальной академии наук Беларуси
%X Методом DlTS изучено влияние зарядового состояния межузельного углерода (Сi ) на кинетику его отжига в облученных быстрыми электронами и α-частицами п+–р-структурах, изготовленных на кристаллах кремния, легированных бором (NB = 5 · 1013 и 2,5 · 1015 см–3). Отжиги проводились как с приложением обратного смещения, так и без смещения. Показано, что в положительном зарядовом состоянии дефекта энергия активации отжига составляет ΔE = 0,88 эВ, а в нейтральном зарядовом состоянии ΔE = 0,73 эВ. Отличаются и значения частотных факторов, даже при одной и той же концентрации стоков для Сi.
%U https://www.academjournals.by/publication/2720