17 Коршунов Ф. П. Ластовский С. Б. Якушевич А. С. Маркевич В. П. Мурин Л. И. кремний облучение дефекты отжиг межузельные атомы углерода зарядовое состояние 2018 2018-10-29 10.29235/1561-8323-2018-62-5-540-545 Доклады Национальной академии наук Беларуси Методом DlTS изучено влияние зарядового состояния межузельного углерода (Сi ) на кинетику его отжига в облученных быстрыми электронами и α-частицами п+–р-структурах, изготовленных на кристаллах кремния, легированных бором (NB = 5 · 1013 и 2,5 · 1015 см–3). Отжиги проводились как с приложением обратного смещения, так и без смещения. Показано, что в положительном зарядовом состоянии дефекта энергия активации отжига составляет ΔE = 0,88 эВ, а в нейтральном зарядовом состоянии ΔE = 0,73 эВ. Отличаются и значения частотных факторов, даже при одной и той же концентрации стоков для Сi. https://www.academjournals.by/publication/2720 https://www.academjournals.by/files/2704