RT - article
SR - Electronic
T1 - БИСТАБИЛЬНЫЕ ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ p-ТИПА
JF - Доклады Национальной академии наук Беларуси
SP - 2016-06-02
A1 - ЛАСТОВСКИЙ С. Б., 
A1 - МАРКЕВИЧ В. П., 
A1 - КОРШУНОВ Ф. П., 
A1 - ЯКУШЕВИЧ А. С., 
A1 - МУРИН Л. И., 
A1 - МАКАРЕНКО Л. Ф., 
YR - 2015
UL - https://www.academjournals.by/publication/3042
AB - Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния p-типа, облученных быстрыми электронами и α-частицами. Обнаружен новый бистабильный радиационно-индуцированный центр с глубокими уровнями вблизи середины запрещенной зоны Si. Определены основные характеристики данного центра и высказаны предположения о его возможной природе.