PT - JOURNAL ARTICLE
AU - ЛАСТОВСКИЙ С. Б., 
AU - МАРКЕВИЧ В. П., 
AU - КОРШУНОВ Ф. П., 
AU - ЯКУШЕВИЧ А. С., 
AU - МУРИН Л. И., 
AU - МАКАРЕНКО Л. Ф., 
TI - БИСТАБИЛЬНЫЕ ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ p-ТИПА
DP - 2016-06-02
TA - Доклады Национальной академии наук Беларуси
SO - https://www.academjournals.by/publication/3042
AB - Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния p-типа, облученных быстрыми электронами и α-частицами. Обнаружен новый бистабильный радиационно-индуцированный центр с глубокими уровнями вблизи середины запрещенной зоны Si. Определены основные характеристики данного центра и высказаны предположения о его возможной природе.