17 ЛАСТОВСКИЙ С. Б. МАРКЕВИЧ В. П. КОРШУНОВ Ф. П. ЯКУШЕВИЧ А. С. МУРИН Л. И. МАКАРЕНКО Л. Ф. БИСТАБИЛЬНЫЕ ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ p-ТИПА кремний быстрые электроны DLTS радиационно-индуцированные дефекты глубокие уровни бистабильность 2015 2016-06-02 Доклады Национальной академии наук Беларуси Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния p-типа, облученных быстрыми электронами и α-частицами. Обнаружен новый бистабильный радиационно-индуцированный центр с глубокими уровнями вблизи середины запрещенной зоны Si. Определены основные характеристики данного центра и высказаны предположения о его возможной природе. https://www.academjournals.by/publication/3042 https://www.academjournals.by/files/3024