@article{ЛАСТОВСКИЙ С. Б.2016-06-02, author = { ЛАСТОВСКИЙ С. Б., МАРКЕВИЧ В. П., КОРШУНОВ Ф. П., ЯКУШЕВИЧ А. С., МУРИН Л. И., МАКАРЕНКО Л. Ф.}, title = {БИСТАБИЛЬНЫЕ ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ p-ТИПА}, year = {2015}, publisher = {NP «NEICON»}, abstract = {Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния p-типа, облученных быстрыми электронами и α-частицами. Обнаружен новый бистабильный радиационно-индуцированный центр с глубокими уровнями вблизи середины запрещенной зоны Si. Определены основные характеристики данного центра и высказаны предположения о его возможной природе.}, URL = {https://www.academjournals.by/publication/3042}, eprint = {https://www.academjournals.by/files/3024}, journal = {Доклады Национальной академии наук Беларуси}, }