Формирование диэлектрического материала на основе окисленного пористого кремния и оксида титана для интегральных оптических волноводов

Белый Г. В., Лопато У. П., Бондаренко В. П., Гревцов Н. Л., Чубенко Е. Б., Лабунов В. А.
2026

Продемонстрирована возможность формирования диэлектрического материала на основе окисленного пористого кремния и оксида титана путем осаждения последнего в пористый кремний зольгель методом и последующего высокотемпературного окисления. Полученный в результате реализации предложенной методики диэлектрический материал характеризуется увеличенным показателем преломления, что делает его перспективным для создания интегральных оптических канальных волноводов с низкими потерями в объемных микросборках электронных схем с оптическими соединениями.

Белый Г. В., Лопато У. П., Бондаренко В. П., Гревцов Н. Л., Чубенко Е. Б., Лабунов В. А. Формирование диэлектрического материала на основе окисленного пористого кремния и оксида титана для интегральных оптических волноводов. Журнал прикладной спектроскопии. 2026;93(4):545-552.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник