RT - article
SR - Electronic
T1 - Формирование диэлектрического материала на основе окисленного пористого кремния и оксида титана для интегральных оптических волноводов
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2026-09-08
A1 - Белый Г. В., 
A1 - Лопато У. П., 
A1 - Бондаренко В. П., 
A1 - Гревцов Н. Л., 
A1 - Чубенко Е. Б., 
A1 - Лабунов В. А., 
YR - 2026
UL - https://www.academjournals.by/publication/21173
AB - Продемонстрирована возможность формирования диэлектрического материала на основе окисленного пористого кремния и оксида титана путем осаждения последнего в пористый кремний зольгель методом и последующего высокотемпературного окисления. Полученный в результате реализации предложенной методики диэлектрический материал характеризуется увеличенным показателем преломления, что делает его перспективным для создания интегральных оптических канальных волноводов с низкими потерями в объемных микросборках электронных схем с оптическими соединениями.