Расчет методом теории функционала плотности оптоэлектронных свойств монослоев MoS, MoSe и MoSSe

Alshammari A. , Alshehri H. , Barakat F. , Laref A.
2024

Проведено сравнительное исследование электронной структуры, а также оптических спектров монослойных дихалькогенидов переходных металлов MoS2, MoSe2 и MoSSe. Методом теории функционала плотности (DFT) на плоскости выполнено псевдопотенциальное моделирование структурного поведения монослойных материалов MoS2, MoSe2, а также MoSSe. Теоретическое моделирование проводилось с использованием пакетов пакета Quantum Espresso. Структурные свойства этих двумерных слоистых материалов рассчитаны с использованием обобщенного градиентного приближения (GGA) для члена обменно-корреляционного функционала. Атомы Mo, S и Se представлены с помощью ультрамягких псевдопотенциалов Вандербильта, а поправки на полуостовы включены для моделирования их структурных гексагональных фаз. Спектры оптического поглощения двумерных монослойных дихалькогенидов переходных металлов охватывают видимый и ИК-диапазоны, причем поглощение происходит при энергиях от 1.6 до 1.8 эВ, что указывает на их полупроводниковую природу. Оптическое поведение делает двумерные материалы перспективными для использования в оптоэлектронных устройствах и солнечных элементах.

Alshammari A. , Alshehri H. , Barakat F. , Laref A. Расчет методом теории функционала плотности оптоэлектронных свойств монослоев MoS, MoSe и MoSSe. Журнал прикладной спектроскопии. 2024;91(3):458.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации