%0 article
%A Alshammari A. , 
%A Alshehri H. , 
%A Barakat F. , 
%A Laref A. , 
%T Расчет методом теории функционала плотности оптоэлектронных свойств монослоев MoS, MoSe и MoSSe
%D 2024
%J Журнал прикладной спектроскопии
%X Проведено сравнительное исследование электронной структуры, а также оптических спектров монослойных дихалькогенидов переходных металлов MoS2, MoSe2 и MoSSe. Методом теории функционала плотности (DFT) на плоскости выполнено псевдопотенциальное моделирование структурного поведения монослойных материалов MoS2, MoSe2, а также MoSSe. Теоретическое моделирование проводилось с использованием пакетов пакета Quantum Espresso. Структурные свойства этих двумерных слоистых материалов рассчитаны с использованием обобщенного градиентного приближения (GGA) для члена обменно-корреляционного функционала. Атомы Mo, S и Se представлены с помощью ультрамягких псевдопотенциалов Вандербильта, а поправки на полуостовы включены для моделирования их структурных гексагональных фаз. Спектры оптического поглощения двумерных монослойных дихалькогенидов переходных металлов охватывают видимый и ИК-диапазоны, причем поглощение происходит при энергиях от 1.6 до 1.8 эВ, что указывает на их полупроводниковую природу. Оптическое поведение делает двумерные материалы перспективными для использования в оптоэлектронных устройствах и солнечных элементах.
%U https://www.academjournals.by/publication/15128