RT - article
SR - Electronic
T1 - Расчет методом теории функционала плотности оптоэлектронных свойств монослоев MoS, MoSe и MoSSe
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2024-05-29
A1 - Alshammari A. , 
A1 - Alshehri H. , 
A1 - Barakat F. , 
A1 - Laref A. , 
YR - 2024
UL - https://www.academjournals.by/publication/15128
AB - Проведено сравнительное исследование электронной структуры, а также оптических спектров монослойных дихалькогенидов переходных металлов MoS2, MoSe2 и MoSSe. Методом теории функционала плотности (DFT) на плоскости выполнено псевдопотенциальное моделирование структурного поведения монослойных материалов MoS2, MoSe2, а также MoSSe. Теоретическое моделирование проводилось с использованием пакетов пакета Quantum Espresso. Структурные свойства этих двумерных слоистых материалов рассчитаны с использованием обобщенного градиентного приближения (GGA) для члена обменно-корреляционного функционала. Атомы Mo, S и Se представлены с помощью ультрамягких псевдопотенциалов Вандербильта, а поправки на полуостовы включены для моделирования их структурных гексагональных фаз. Спектры оптического поглощения двумерных монослойных дихалькогенидов переходных металлов охватывают видимый и ИК-диапазоны, причем поглощение происходит при энергиях от 1.6 до 1.8 эВ, что указывает на их полупроводниковую природу. Оптическое поведение делает двумерные материалы перспективными для использования в оптоэлектронных устройствах и солнечных элементах.