@article{Alshammari A. 2024-05-29,
author = { Alshammari A. ,  Alshehri H. ,  Barakat F. ,  Laref A. },
title = {Расчет методом теории функционала плотности оптоэлектронных свойств монослоев MoS, MoSe и MoSSe},
year = {2024},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Проведено сравнительное исследование электронной структуры, а также оптических спектров монослойных дихалькогенидов переходных металлов MoS2, MoSe2 и MoSSe. Методом теории функционала плотности (DFT) на плоскости выполнено псевдопотенциальное моделирование структурного поведения монослойных материалов MoS2, MoSe2, а также MoSSe. Теоретическое моделирование проводилось с использованием пакетов пакета Quantum Espresso. Структурные свойства этих двумерных слоистых материалов рассчитаны с использованием обобщенного градиентного приближения (GGA) для члена обменно-корреляционного функционала. Атомы Mo, S и Se представлены с помощью ультрамягких псевдопотенциалов Вандербильта, а поправки на полуостовы включены для моделирования их структурных гексагональных фаз. Спектры оптического поглощения двумерных монослойных дихалькогенидов переходных металлов охватывают видимый и ИК-диапазоны, причем поглощение происходит при энергиях от 1.6 до 1.8 эВ, что указывает на их полупроводниковую природу. Оптическое поведение делает двумерные материалы перспективными для использования в оптоэлектронных устройствах и солнечных элементах.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15128},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15087},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}