Тонкопленочное покрытие с пониженным коэффициентом оптического отражения на основе слоя нанопористого германия

Степанов А. Л.; Рогов А. М.; Сотникова В. Ф.; Валеев В. Ф.; Нуждин В. И.; Коновалов Д. А.

Тонкопленочное покрытие с пониженным коэффициентом оптического отражения на основе слоя нанопористого германия

Степанов А. Л., Рогов А. М., Сотникова В. Ф., Валеев В. Ф., Нуждин В. И., Коновалов Д. А.

2025

Предложен метод получения покрытия с пониженным коэффициентом оптического отражения на основе нанопористых слоев германия (Ge), основанный на имплантации ионами 209Bi++ монокристаллического c-Ge при энергии E = 72 кэВ, плотности тока в ионном пучке J = 5 мкA/см2 и интервале доз D = 1.3 ꞏ 1015—2.5 >ꞏ 1016 ион/см2. Установлено, что, начиная с D = 6.2 · 1015 ион/см2, формируется вспученный губчатый слой Bi:PGe толщиной порядка 100 нм, состоящий из тонких переплетающихся нанонитей Ge, который не меняет свои морфологические особенности с ростом D. Данный слой характеризуется низким коэффициентом оптического отражения (< 3 %) в видимом диапазоне спектра.

Степанов А. Л., Рогов А. М., Сотникова В. Ф., Валеев В. Ф., Нуждин В. И., Коновалов Д. А. Тонкопленочное покрытие с пониженным коэффициентом оптического отражения на основе слоя нанопористого германия. Журнал прикладной спектроскопии. 2025;92(5):674-678.

Цитирование

Список литературы

1. Z. Zhou, W. Liu, Y. Guo, H. Huang, X. Ding. Coatings, 12 (2022) 1653(1—13), doi: 10.3390/coatings12111653

2. D. Cavalcoli, M. A. Fazio. Mater. Sci. Semicond. Process., 92 (2019) 28—38, doi: 10.1016/j.mssp.2018.05.027

3. J. Song, S. Yuan, C. Cui, Y. Wang, Z. Li, A. X. Wang, C. Zeng, J. Xia. Nanophotonics, 10 (2021) 1081-1087, doi: 10.1515/nanoph-2020-0455

4. S. An, Y. Liao, S. Shin, M. Kim. Adv. Mater. Technol., 7 (2022) 2100912(1—7), doi: 10.1002/admt.2021100912

5. C. Ji, W. Liu, Y. Bao, X. Chen, G. Yang, B. Wei, F. Yang, X. Wang. Photonics, 9 (2022) 906(1—22), doi: 10.3390/photonics9120906

6. K. Wang, Y. Zhang, J. Chen, Q. Li, F. Tang, X. Ye, W. Zheng, Coatings, 14 (2024) 262(1—12), doi: 10.3390/coatings14930262

7. Y. Chen, C. Zhang, Z. Yi, J. Wu, Y. Zhang, L. Bian, L. Liu, X. Ye, H. Yang, H. Li. Solar Energy Mater. Solar Cell, 248 (2022) 112005(1—10), doi: 10.1016/j.solmat.2022.112005

8. А. Л. Степанов, В. И. Нуждин, А. М. Рогов, В. В. Воробьев. Формирование слоев пористого кремния и германия с металлическими наночастиами, Казань, ФИЦПРЕСС (2019)

9. D. P. Datta, T. Som. Solar Energy, 223 (2021) 367—375, doi: 10.1016/j.solener.2021.05.016

10. R. Böttger, K.-H. Heinig, L. Bischoff. Appl. Phys. A, 113 (2013) 53—59, doi: 10.1007/s00339-0137911-0

11. А. Л. Степанов, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, А. М. Рогов, Д. А. Коновалов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 7 (2024) 83—90, doi: 10.31857/S1028096024070119 [A. L. Stepanov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, A. M. Rogov, D. A. Konovalov. J. Surf. Investigation, 18 (2024) 834—840], doi: 10.1134/S1027451024700526

12. A. L. Stepanov, V. A. Zhikharev, D. E. Hole, P. D. Townsend, I. B. Khaibullin. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 166 (2000) 26—30, https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0168583X99006412

13. T. M. Donovan, W. E. Spicer, J. M. Bennett, E. J. Ashley. Phys. Rev. B, 2 (1970) 397—413

14. Я. Тауц. УФН, 94, № 3 (1968) 501—534 [J. Tauc. Progr. Semiconductors, 9 (1965) 89—122], doi: 10.3367/UFNr.0094.196803e.0501

15. H. Liu, S. Li, P. Sun, X. Yang, D. Liu, Y. Ji, F. Zhang, D. Chen, Y. Cui. Mater. Sci. Semicond. Processing, 83 (2018) 58—62, doi: 10.1016/j.mssp.2018.04.019

16. S. Koffel, P. Scheiblin, A. Claverie, G. Benassayag. J. Appl. Phys., 105 (2009) 13528(1—6), doi: 10.1063/1.3041653

17. M. Steglich, T. Kasebier, E.-B. Kley, A. Tunnermann. Appl. Phys., A, 122 (2016) 836(1—5), doi: 10.1007/s00339-016-0318-y

18. A. L. Stepanov, B. F. Farrakhov, Ya. V. Fattakhov, A. M. Rogov, D. A. Konovalov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev. Vacuum, 186 (2021) 110060(1—5), doi: 10.1016/j.vacuum.2021.110060

19. K. Chen, J. Isometsa, T.P. Pasanen, V. Vahanissi, H. Savin. Nanotechnology, 32 (2021) 35301(1—7), doi: 10.1088/1361-6528/abbeac

Источник

Информация

Автор

Степанов А. Л. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского ФИЦ “Казанский научный центр РАН”
Рогов А. М. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского ФИЦ “Казанский научный центр РАН”
Сотникова В. Ф. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского ФИЦ “Казанский научный центр РАН”
Валеев В. Ф. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского ФИЦ “Казанский научный центр РАН”
Нуждин В. И. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского ФИЦ “Казанский научный центр РАН”
Коновалов Д. А. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского ФИЦ “Казанский научный центр РАН”

Страницы

674-678

Год издания

2025

Ключевые слова

Коллекции

Журнал прикладной спектроскопии