RT - article
SR - Electronic
T1 - Тонкопленочное покрытие с пониженным коэффициентом оптического отражения на основе слоя нанопористого германия
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-09-26
A1 - Степанов А. Л., 
A1 - Рогов А. М., 
A1 - Сотникова В. Ф., 
A1 - Валеев В. Ф., 
A1 - Нуждин В. И., 
A1 - Коновалов Д. А., 
YR - 2025
UL - https://www.academjournals.by/publication/19913
AB - Предложен метод получения покрытия с пониженным коэффициентом оптического отражения на основе нанопористых слоев германия (Ge), основанный на имплантации ионами 209Bi++ монокристаллического c-Ge при энергии E = 72 кэВ, плотности тока в ионном пучке J = 5 мкA/см2 и интервале доз D = 1.3 ꞏ 1015—2.5 >ꞏ 1016 ион/см2. Установлено, что, начиная с D = 6.2 · 1015 ион/см2, формируется вспученный губчатый слой Bi:PGe толщиной порядка 100 нм, состоящий из тонких переплетающихся нанонитей Ge, который не меняет свои морфологические особенности с ростом D. Данный слой характеризуется низким коэффициентом оптического отражения (< 3 %) в видимом диапазоне спектра.