Спектры нарушенного  полного внутреннего отражения азотированных структур SiO<sub>2</sub>/Si

Оджаев В. Б.; Петлицкий А. Н.; Просолович В. С.; Ковальчук Н. С.; Соловьев Я. А.; Жигулин Д. В.; Шестовский Д. В.; Янковский Ю. Н.; Бринкевич Д. И.

Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO₂/Si

Оджаев В. Б., Петлицкий А. Н., Просолович В. С., Ковальчук Н. С., Соловьев Я. А., Жигулин Д. В., Шестовский Д. В., Янковский Ю. Н., Бринкевич Д. И.

2022

https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-4-498-504

Методами нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) и времяпролетной массспектрометрии вторичных ионов изучено поведение азота в пленках диоксида кремния на подложках монокристаллического кремния. Азот вводился в диэлектрик, сформированный методом пирогенного окисления при температуре 850 ºС в атмосфере влажного кислорода, имплантацией ионов N+ энергией 40 кэВ дозами 2.5 · 1014 и 1.0 · 1015 см–2 с последующим быстрым термическим отжигом при температуре 1000 либо 1050 ºС длительностью 15 с на воздухе. Азотирование части образцов осуществлялось при термическом отжиге в атмосфере азота с добавлением малого количества кислорода при температуре 1200 ºС в течение 120 мин. Установлено, что при термообработке основная часть атомов азота диффундирует к границе раздела SiО2/Si и накапливается в приграничной области оксида. В спектрах НПВО наблюдается полоса поглощения с максимумами при ~2320 и 2360 см–1, обусловленная колебаниями двойных кумулятивных связей типа О=Si=N–. Формирование данных связей обусловлено взаимодействием азота с оборванными связями на границе раздела кремний-диэлектрик, вследствие чего нескомпенсированные или напряженные связи заменяются на более устойчивые.

Оджаев В. Б., Петлицкий А. Н., Просолович В. С., Ковальчук Н. С., Соловьев Я. А., Жигулин Д. В., Шестовский Д. В., Янковский Ю. Н., Бринкевич Д. И. Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO₂/Si. Журнал прикладной спектроскопии. 2022;89(4):498-504. https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-4-498-504

Цитирование

Список литературы

1. B. J. Baliga. Advanced Power MOSFET Concepts, Springer Science & Business Media (2010)

2. В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, В. А. Филипеня, В. В. Черный, В. Ю. Явид, Ю. Н. Янковский, В. А. Дубровский. Весці НАНБ. Сер. фіз.-тэх. навук, № 4 (2014) 4—17

3. J. A. Diniz, P. J. Tatsch, L. C. Kretly, J. E. C. Queiroz, F. J. Godoy. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 396 (1996) 249—254

4. L. S. Adam, C. Bowen, M. E. Law. IEEE Transact. Electron Devices, 50, N 3 (2003) 589—600

5. Г. Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов, Москва, Техносфера (2011)

6. M. Milosevic. Internal Reflection and ATR Spectroscopy, John Wiley & Sons (2012) 244

7. Y. Nishi, R. Doering. Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, Воса Raton, CRC Press (2008)

8. Д. И. Бринкевич, С. Д. Бринкевич, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович. Микроэлектроника, 50, № 4 (2021) 274—280 [D. I. Brinkevich, S. D. Brinkevich, A. N. Petlitsky, V. S. Prosolovich. Russ. Microelectronics, 50, N 4 (2021) 239—245]

9. Д. И. Бринкевич, В. В. Петров. Журн. прикл. спектр., 46, № 2 (1987) 305—307

10. В. П. Маркевич, Л. И. Мурин, J. L. Lindström, M. Suezawa. ФТП, 34, вып. 9 (2000) 1039—1045

11. А. Г. Паулиш, А. К. Дмитриев, А. В. Гельфанд, С. М. Пыргаева. Автометрия, 55, № 5 (2019) 101—106

12. А. А. Намакшинас, О. Д. Хорозова, В. В. Сахаров. Успехи химии и хим. технологии, 30, № 7 (2016) 74—76

13. Д. И. Бринкевич, В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович. Микроэлектроника, 40, № 4 (2011) 309—312 [D. I. Brinkevich, V. B. Odzhaev, A. N. Petliskii, V. S. Prosolovich. Russ. Microelectronics, 40, N 4 (2011) 290—293]

14. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках, Москва, Мир (1973)

15. В. И. Бачурин, П. А. Лепшин, В. К. Смирнов, А. Б. Чурилов. Письма в ЖТФ, 24, № 6 (1998) 18—23

16. Б. Н. Тарасевич. ИК спектры основных классов органических соединений. Справочные материалы, Москва, МГУ (2012)

17. Б. И. Селезнев, Д. Г. Федоров. Вестн. Новгород. гос. ун-та, № 5 (103) (2017) 114—118

18. M. Tajima, T. Masui, T. Abe, T. Jap. J. Appl. Phys., 20, N 6 (1981) L423—L425

19. M. W. Qi, S. S. Tan, B. Zhu, P. X. Cai, W. F. Gu, X. M. Xu, T. S. Shi, D. L. Que, L. B. Li. J. Appl. Phys., 69, N 6 (1991) 3775—3777

20. Н. Н. Берченко, Ю. В. Медведев. Успехи химии, 63, № 8 (1994) 655—672

21. В. Б. Оджаев, А. К. Панфиленко, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьев, В. А. Филипеня, Д. В. Шестовский. Журн. Бел. гос. ун-та. Физика, № 3 (2020) 55—64

22. В. А. Гриценко. Успехи физ. наук, 179, № 9 (2009) 921—930

Источник

Информация

Автор

Оджаев В. Б. Белорусский государственный университет
Петлицкий А. Н. ОАО “ИНТЕГРАЛ” — управляющая компания холдинга “ИНТЕГРАЛ”
Просолович В. С. Белорусский государственный университет
Ковальчук Н. С. ОАО “ИНТЕГРАЛ” — управляющая компания холдинга “ИНТЕГРАЛ”
Соловьев Я. А. ОАО “ИНТЕГРАЛ” — управляющая компания холдинга “ИНТЕГРАЛ”
Жигулин Д. В. ОАО “ИНТЕГРАЛ” — управляющая компания холдинга “ИНТЕГРАЛ”
Шестовский Д. В. ОАО “ИНТЕГРАЛ” — управляющая компания холдинга “ИНТЕГРАЛ”
Янковский Ю. Н. Белорусский государственный университет
Бринкевич Д. И. Белорусский государственный университет

Страницы

498-504

Год издания

2022

Ключевые слова

Коллекции

Журнал прикладной спектроскопии

Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO2/Si

Похожие публикации

Источник

Информация

Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO₂/Si