RT - article
SR - Electronic
T1 - Спектры нарушенного  полного внутреннего отражения азотированных структур SiO<sub>2</sub>/Si
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2022-07-26
DO - 10.47612/0514-7506-2022-89-4-498-504
A1 - Оджаев В. Б., 
A1 - Петлицкий А. Н., 
A1 - Просолович В. С., 
A1 - Ковальчук Н. С., 
A1 - Соловьев Я. А., 
A1 - Жигулин Д. В., 
A1 - Шестовский Д. В., 
A1 - Янковский Ю. Н., 
A1 - Бринкевич Д. И., 
YR - 2022
UL - https://www.academjournals.by/publication/15538
AB - Методами нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) и времяпролетной массспектрометрии вторичных ионов изучено поведение азота в пленках диоксида кремния на подложках монокристаллического кремния. Азот вводился в диэлектрик, сформированный методом пирогенного окисления при температуре 850 ºС в атмосфере влажного кислорода, имплантацией ионов N+ энергией 40 кэВ дозами 2.5 · 1014 и 1.0 · 1015 см–2 с последующим быстрым термическим отжигом при температуре 1000 либо 1050 ºС длительностью 15 с на воздухе. Азотирование части образцов осуществлялось при термическом отжиге в атмосфере азота с добавлением малого количества кислорода при температуре 1200 ºС в течение 120 мин. Установлено, что при термообработке основная часть атомов азота диффундирует к границе раздела SiО2/Si и накапливается в приграничной области оксида. В спектрах НПВО наблюдается полоса поглощения с максимумами при ~2320 и 2360 см–1, обусловленная колебаниями двойных кумулятивных связей типа О=Si=N–. Формирование данных связей обусловлено взаимодействием азота с оборванными связями на границе раздела кремний-диэлектрик, вследствие чего нескомпенсированные или напряженные связи заменяются на более устойчивые.