@article{Оджаев В. Б.2022-07-26,
author = { Оджаев В. Б.,  Петлицкий А. Н.,  Просолович В. С.,  Ковальчук Н. С.,  Соловьев Я. А.,  Жигулин Д. В.,  Шестовский Д. В.,  Янковский Ю. Н.,  Бринкевич Д. И.},
title = {Спектры нарушенного  полного внутреннего отражения азотированных структур SiO<sub>2</sub>/Si},
year = {2022},
doi = {10.47612/0514-7506-2022-89-4-498-504},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Методами нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) и времяпролетной массспектрометрии вторичных ионов изучено поведение азота в пленках диоксида кремния на подложках монокристаллического кремния. Азот вводился в диэлектрик, сформированный методом пирогенного окисления при температуре 850 ºС в атмосфере влажного кислорода, имплантацией ионов N+ энергией 40 кэВ дозами 2.5 · 1014 и 1.0 · 1015 см–2 с последующим быстрым термическим отжигом при температуре 1000 либо 1050 ºС длительностью 15 с на воздухе. Азотирование части образцов осуществлялось при термическом отжиге в атмосфере азота с добавлением малого количества кислорода при температуре 1200 ºС в течение 120 мин. Установлено, что при термообработке основная часть атомов азота диффундирует к границе раздела SiО2/Si и накапливается в приграничной области оксида. В спектрах НПВО наблюдается полоса поглощения с максимумами при ~2320 и 2360 см–1, обусловленная колебаниями двойных кумулятивных связей типа О=Si=N–. Формирование данных связей обусловлено взаимодействием азота с оборванными связями на границе раздела кремний-диэлектрик, вследствие чего нескомпенсированные или напряженные связи заменяются на более устойчивые.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15538},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15496},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}