<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Оджаев В. Б.</author>
     <author>Петлицкий А. Н.</author>
     <author>Просолович В. С.</author>
     <author>Ковальчук Н. С.</author>
     <author>Соловьев Я. А.</author>
     <author>Жигулин Д. В.</author>
     <author>Шестовский Д. В.</author>
     <author>Янковский Ю. Н.</author>
     <author>Бринкевич Д. И.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Спектры нарушенного  полного внутреннего отражения азотированных структур SiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;/Si</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>подзатворный диэлектрик</keyword>
    <keyword>ионная имплантация</keyword>
    <keyword>термообработка</keyword>
    <keyword>нарушенное полное внутреннее отражение</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2022</year>
    <pub-dates>
     <date>2022-07-26</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <doi>10.47612/0514-7506-2022-89-4-498-504</doi>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Методами нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) и времяпролетной массспектрометрии вторичных ионов изучено поведение азота в пленках диоксида кремния на подложках монокристаллического кремния. Азот вводился в диэлектрик, сформированный методом пирогенного окисления при температуре 850 ºС в атмосфере влажного кислорода, имплантацией ионов N+ энергией 40 кэВ дозами 2.5 · 1014 и 1.0 · 1015 см–2 с последующим быстрым термическим отжигом при температуре 1000 либо 1050 ºС длительностью 15 с на воздухе. Азотирование части образцов осуществлялось при термическом отжиге в атмосфере азота с добавлением малого количества кислорода при температуре 1200 ºС в течение 120 мин. Установлено, что при термообработке основная часть атомов азота диффундирует к границе раздела SiО2/Si и накапливается в приграничной области оксида. В спектрах НПВО наблюдается полоса поглощения с максимумами при ~2320 и 2360 см–1, обусловленная колебаниями двойных кумулятивных связей типа О=Si=N–. Формирование данных связей обусловлено взаимодействием азота с оборванными связями на границе раздела кремний-диэлектрик, вследствие чего нескомпенсированные или напряженные связи заменяются на более устойчивые.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/15538</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/15496</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
