ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОГЛОЩАЮЩЕГО СЛОЯ Сих1пхZп2-2хSе2 ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Хорошко В. В., Цырельчук И. Н., Гременок В. Ф., Залесский В. Б., Ходин А. А.
2014

В статье проводится моделирование влияния основных параметров поглощающего слоя Сuх1nхZn2-2хSе2 на ток короткого замыкания, напряжение холостого хода, коэффициент заполнения и КПД тонкопленочных солнечных элементов. На основании данных, полученных моделированием, сделаны выводы об оптимальных значениях параметров слоев Сuх1nхZn2-2хSе2. 

Хорошко В. В., Цырельчук И. Н., Гременок В. Ф., Залесский В. Б., Ходин А. А. ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОГЛОЩАЮЩЕГО СЛОЯ Сих1пхZп2-2хSе2 ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ. Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук. 2014;(2):88-93.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник