<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Хорошко В. В.</author>
     <author>Цырельчук И. Н.</author>
     <author>Гременок В. Ф.</author>
     <author>Залесский В. Б.</author>
     <author>Ходин А. А.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОГЛОЩАЮЩЕГО СЛОЯ Сих1пхZп2-2хSе2 ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ</title>
   </titles>
   <dates>
    <year>2014</year>
    <pub-dates>
     <date>2016-05-17</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук</journal>
   <abstract>В статье проводится моделирование влияния основных параметров поглощающего слоя Сuх1nхZn2-2хSе2 на ток короткого замыкания, напряжение холостого хода, коэффициент заполнения и КПД тонкопленочных солнечных элементов. На основании данных, полученных моделированием, сделаны выводы об оптимальных значениях параметров слоев Сuх1nхZn2-2хSе2. </abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/13186</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/13152</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
