RT - article
SR - Electronic
T1 - ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОГЛОЩАЮЩЕГО СЛОЯ Сих1пхZп2-2хSе2 ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
JF - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
SP - 2016-05-17
A1 - Хорошко В. В., 
A1 - Цырельчук И. Н., 
A1 - Гременок В. Ф., 
A1 - Залесский В. Б., 
A1 - Ходин А. А., 
YR - 2014
UL - https://www.academjournals.by/publication/13186
AB - В статье проводится моделирование влияния основных параметров поглощающего слоя Сuх1nхZn2-2хSе2 на ток короткого замыкания, напряжение холостого хода, коэффициент заполнения и КПД тонкопленочных солнечных элементов. На основании данных, полученных моделированием, сделаны выводы об оптимальных значениях параметров слоев Сuх1nхZn2-2хSе2.