Спектры фотолюминесценции дефектов упаковки в кристаллах 4H-SiC

Атабаев Б. Г., Жураев Х. Н., Шаймарданов З. Ш., Жалолов Р. Р., Уролов Ш. З.
2025

Исследованы монокристаллические пластинки 4H-SiC компании Cree методом неразрушающей фотолюминесценции высокого разрешения при комнатной температуре с целью экспериментального исследования возле края зоны (NBE) фотолюминесценции и фотолюминесценции дефектов упаковки. Обнаружено вклад фотолюминесценции дефектов упаковки в спектр фотолюминесценции исходных карбида кремния 4H-SiC позволяет оценивать качества подложек. Экспериментальный спектр фотолюминесценции 4H-SiC подчиняются Лоренцовскому распределению. Электрон-фононное взаимодействие приводит к значительной взаимной зависимости интенсивностей межзонной (band to band) и NBE фотолюминесценции и фотолюминесценции дефектов упаковки.

Атабаев Б. Г., Жураев Х. Н., Шаймарданов З. Ш., Жалолов Р. Р., Уролов Ш. З. Спектры фотолюминесценции дефектов упаковки в кристаллах 4H-SiC. Журнал прикладной спектроскопии. 2025;92(5):582-587.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник