RT - article
SR - Electronic
T1 - Спектры фотолюминесценции дефектов упаковки в кристаллах 4H-SiC
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-09-26
A1 - Атабаев Б. Г., 
A1 - Жураев Х. Н., 
A1 - Шаймарданов З. Ш., 
A1 - Жалолов Р. Р., 
A1 - Уролов Ш. З., 
YR - 2025
UL - https://www.academjournals.by/publication/19907
AB - Исследованы монокристаллические пластинки 4H-SiC компании Cree методом неразрушающей фотолюминесценции высокого разрешения при комнатной температуре с целью экспериментального исследования возле края зоны (NBE) фотолюминесценции и фотолюминесценции дефектов упаковки. Обнаружено вклад фотолюминесценции дефектов упаковки в спектр фотолюминесценции исходных карбида кремния 4H-SiC позволяет оценивать качества подложек. Экспериментальный спектр фотолюминесценции 4H-SiC подчиняются Лоренцовскому распределению. Электрон-фононное взаимодействие приводит к значительной взаимной зависимости интенсивностей межзонной (band to band) и NBE фотолюминесценции и фотолюминесценции дефектов упаковки.