<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Атабаев Б. Г.</author>
     <author>Жураев Х. Н.</author>
     <author>Шаймарданов З. Ш.</author>
     <author>Жалолов Р. Р.</author>
     <author>Уролов Ш. З.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Спектры фотолюминесценции дефектов упаковки в кристаллах 4H-SiC</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>4H-SiC</keyword>
    <keyword>фотолюминесценция</keyword>
    <keyword>ростовые дефекты</keyword>
    <keyword>дефекты упаковки</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2025</year>
    <pub-dates>
     <date>2025-09-26</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Исследованы монокристаллические пластинки 4H-SiC компании Cree методом неразрушающей фотолюминесценции высокого разрешения при комнатной температуре с целью экспериментального исследования возле края зоны (NBE) фотолюминесценции и фотолюминесценции дефектов упаковки. Обнаружено вклад фотолюминесценции дефектов упаковки в спектр фотолюминесценции исходных карбида кремния 4H-SiC позволяет оценивать качества подложек. Экспериментальный спектр фотолюминесценции 4H-SiC подчиняются Лоренцовскому распределению. Электрон-фононное взаимодействие приводит к значительной взаимной зависимости интенсивностей межзонной (band to band) и NBE фотолюминесценции и фотолюминесценции дефектов упаковки.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/19907</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/19800</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
