ВЛИЯНИЕ ФОТОУПРУГОГО И ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТОВ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОПУСКАЮЩИХ И ОТРАЖАТЕЛЬНЫХ ГОЛОГРАММ В ФОТОРЕФРАКТИВНОМ КРИСТАЛЛЕ

Навныко В. Н., Шепелевич В. В., Макаревич А. В., Шандаров С. М.
2020

Остроена поверхность нормальной составляющей компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кубического фоторефрактивного пьезокристалла Bi12SiO20 с записанной внутри объемной фазовой голографической решеткой с волновым вектором, ориентированным вдоль кристаллографического направления . Установлено, что совместное действие фотоупругого и пьезоэлектрического эффектов приводит к увеличению нормальной составляющей компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости вдоль направления и уменьшению нормальной составляющей компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости в перпендикулярном направлении. Показано, что анизотропия вклада фотоупругого и пьезоэлектрического эффектов обусловливает увеличение оптимизированных по азимутам линейной поляризации световых волн значений выходных энергетических характеристик для пропускающей голограммы и их уменьшение для отражательной голограммы.

Навныко В. Н., Шепелевич В. В., Макаревич А. В., Шандаров С. М. ВЛИЯНИЕ ФОТОУПРУГОГО И ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТОВ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОПУСКАЮЩИХ И ОТРАЖАТЕЛЬНЫХ ГОЛОГРАММ В ФОТОРЕФРАКТИВНОМ КРИСТАЛЛЕ. Журнал прикладной спектроскопии. 2020;87(4):658-666.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник