ВЛИЯНИЕ ОБРАТНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА, ФОТОУПРУГОСТИ И ОПТИЧЕСКОЙ АКТИВНОСТИ НА ДИФРАКЦИОННУЮ ЭФФЕКТИВНОСТЬ ПРОПУСКАЮЩИХ ГОЛОГРАММ В ФОТОРЕФРАКТИВНОМ КРИСТАЛЛЕ Bi12SiO20
2020
Представлены результаты теоретических исследований зависимости дифракционной эффективности пропускающих голограмм, сформированных в образце фоторефрактивного кристалла Bi12SiO20, от ориентационного угла, удельного вращения кристалла и его толщины. В теоретической модели учтены линейный электрооптический, обратный пьезоэлектрический и фотоупругий эффекты. Показано, что при изменении знака оптической активности кристалла может иметь место смещение максимумов дифракционной эффективности относительно значений ориентационного угла.
Аманова М. А., Шепелевич В. В., Макаревич А. В., Навныко В. Н. ВЛИЯНИЕ ОБРАТНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА, ФОТОУПРУГОСТИ И ОПТИЧЕСКОЙ АКТИВНОСТИ НА ДИФРАКЦИОННУЮ ЭФФЕКТИВНОСТЬ ПРОПУСКАЮЩИХ ГОЛОГРАММ В ФОТОРЕФРАКТИВНОМ КРИСТАЛЛЕ Bi12SiO20. Журнал прикладной спектроскопии. 2020;87(2):338-344.
Цитирование
Список литературы