<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Аманова М. А.</author>
     <author>Шепелевич В. В.</author>
     <author>Макаревич А. В.</author>
     <author>Навныко В. Н.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>ВЛИЯНИЕ ОБРАТНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА, ФОТОУПРУГОСТИ И ОПТИЧЕСКОЙ АКТИВНОСТИ НА ДИФРАКЦИОННУЮ ЭФФЕКТИВНОСТЬ ПРОПУСКАЮЩИХ ГОЛОГРАММ В ФОТОРЕФРАКТИВНОМ КРИСТАЛЛЕ Bi&lt;sub&gt;12&lt;/sub&gt;SiO&lt;sub&gt;20&lt;/sub&gt;</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>фоторефрактивный кристалл</keyword>
    <keyword>линейный электрооптический эффект</keyword>
    <keyword>обратный пьезоэлектрический эффект</keyword>
    <keyword>фотоупругость</keyword>
    <keyword>оптическая активность</keyword>
    <keyword>дифракционная эффективность</keyword>
    <keyword>Bi12SiO20</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2020</year>
    <pub-dates>
     <date>2020-05-08</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Журнал прикладной спектроскопии</journal>
   <abstract>Представлены результаты теоретических исследований зависимости дифракционной эффективности пропускающих голограмм, сформированных в образце фоторефрактивного кристалла Bi12SiO20, от ориентационного угла, удельного вращения кристалла и его толщины. В теоретической модели учтены линейный электрооптический, обратный пьезоэлектрический и фотоупругий эффекты. Показано, что при изменении знака оптической активности кристалла может иметь место смещение максимумов дифракционной эффективности относительно значений ориентационного угла.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/15863</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/15817</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
