RT - article
SR - Electronic
T1 - ВЛИЯНИЕ ФОТОУПРУГОГО И ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТОВ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОПУСКАЮЩИХ И ОТРАЖАТЕЛЬНЫХ ГОЛОГРАММ В ФОТОРЕФРАКТИВНОМ КРИСТАЛЛЕ
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2020-09-17
A1 - Навныко В. Н., 
A1 - Шепелевич В. В., 
A1 - Макаревич А. В., 
A1 - Шандаров С. М., 
YR - 2020
UL - https://www.academjournals.by/publication/15915
AB - Остроена поверхность нормальной составляющей компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кубического фоторефрактивного пьезокристалла Bi12SiO20 с записанной внутри объемной фазовой голографической решеткой с волновым вектором, ориентированным вдоль кристаллографического направления . Установлено, что совместное действие фотоупругого и пьезоэлектрического эффектов приводит к увеличению нормальной составляющей компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости вдоль направления и уменьшению нормальной составляющей компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости в перпендикулярном направлении. Показано, что анизотропия вклада фотоупругого и пьезоэлектрического эффектов обусловливает увеличение оптимизированных по азимутам линейной поляризации световых волн значений выходных энергетических характеристик для пропускающей голограммы и их уменьшение для отражательной голограммы.