СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2
2021
Исследованы фазовый состав, структурные и оптические характеристики тонких пленок твердых растворов Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2 со структурой халькопирита. По данным рентгеноструктурного анализа определены параметры элементарной ячейки a ~ 5.720 Å, c ~ 11.52 Å и элементный состав х = Ga/(Ga+In) ~ 0.14 и у = S/(S+Se) ~ 0.11 тонких пленок Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2 . Из спектров фотолюминесценции и возбуждения люминесценции при температуре ~4.2 К определена оптическая ширина запрещенной зоны твердых растворов Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2 Eg ~ 1.122 эВ. Обсуждается механизм излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в тонких пленках твердых растворов Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2.
Бородавченко О. М., Живулько В. Д., Мудрый А. В., Могильников И. А., Якушев М. В. СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2. Журнал прикладной спектроскопии. 2021;88(1):34-40.
Цитирование
Список литературы