RT - article
SR - Electronic
T1 - СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Cu(In<sub>1–х</sub>Ga<sub>х</sub>)(S<sub>у</sub>Se<sub>1–у</sub>)<sub>2</sub>
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2021-01-29
A1 - Бородавченко О. М., 
A1 - Живулько В. Д., 
A1 - Мудрый А. В., 
A1 - Могильников И. А., 
A1 - Якушев М. В., 
YR - 2021
UL - https://www.academjournals.by/publication/15630
AB - Исследованы фазовый состав, структурные и оптические характеристики тонких пленок твердых растворов Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2 со структурой халькопирита. По данным рентгеноструктурного анализа определены параметры элементарной ячейки a ~ 5.720 Å, c ~ 11.52 Å и элементный состав х = Ga/(Ga+In) ~ 0.14 и у = S/(S+Se) ~ 0.11 тонких пленок Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2 . Из спектров фотолюминесценции и возбуждения люминесценции при температуре ~4.2 К определена оптическая ширина запрещенной зоны твердых растворов Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2 Eg ~ 1.122 эВ. Обсуждается механизм излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в тонких пленках твердых растворов Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2.