17 Бородавченко О. М. Живулько В. Д. Мудрый А. В. Могильников И. А. Якушев М. В. твердые растворы Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2 тонкая пленка фотолюминесценция оптическая ширина запрещенной зоны 2021 2021-01-29 Журнал прикладной спектроскопии Исследованы фазовый состав, структурные и оптические характеристики тонких пленок твердых растворов Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2 со структурой халькопирита. По данным рентгеноструктурного анализа определены параметры элементарной ячейки a ~ 5.720 Å, c ~ 11.52 Å и элементный состав х = Ga/(Ga+In) ~ 0.14 и у = S/(S+Se) ~ 0.11 тонких пленок Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2 . Из спектров фотолюминесценции и возбуждения люминесценции при температуре ~4.2 К определена оптическая ширина запрещенной зоны твердых растворов Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2 Eg ~ 1.122 эВ. Обсуждается механизм излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в тонких пленках твердых растворов Cu(In1–хGaх)(SуSe1–у)2. https://www.academjournals.by/publication/15630 https://www.academjournals.by/files/15586