Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства кремния, имплантированного ионами индия и сурьмы и подвергнутого импульсному отжигу

Баталов Р. И., Базаров В. В., Нуждин В. И., Валеев В. Ф., Новиков Г. А., Шустов В. А., Галкин К. Н., Чистохин И. Б., Комаров Ф. Ф., Мильчанин О. В., Пархоменко И. Н.
2024

Для синтеза в приповерхностной области монокристалла кремния слоя узкозонного антимонида индия (InSb) проведена последовательная высокодозная имплантация кремния ионами In+ и Sb+ с энергией 30 кэВ и дозой 2 ∙ 1016 см–2. Отжиг имплантированных слоев Si:(In+Sb) в жидкофазном режиме проведен мощным импульсным (~100 нс) ионным пучком (C+/H+) с энергией 300 кэВ и плотностью энергии импульса 1.0 Дж/см2. Расчет суммарного глубинного профиля концентрации имплантированных атомов In и Sb с учетом распыления показал их максимальную концентрацию 40 ат.% на глубине ~20 нм. Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов He+ обнаружена сегрегация примесных атомов к поверхности Si в результате импульсного отжига. Спектры рентгеновской дифракции в скользящих лучах и комбинационного рассеяния света указывают на формирование фазы InSb с уровнем деформации растяжения 0.6—0.7 %. С помощью оптических  ИК-спектров оценена концентрация электронов в слое 2 ∙ 1020 см–3 за счет донорной примеси Sb и показано образование интенсивной полосы поглощения при 3.85 мкм. Измерения фотоотклика на диодной меза-структуре при 300 К показали сдвиг края фоточувствительности до 1240 нм по сравнению с типовым Si-фотодиодом ФД-24. 

Баталов Р. И., Базаров В. В., Нуждин В. И., Валеев В. Ф., Новиков Г. А., Шустов В. А., Галкин К. Н., Чистохин И. Б., Комаров Ф. Ф., Мильчанин О. В., Пархоменко И. Н. Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства кремния, имплантированного ионами индия и сурьмы и подвергнутого импульсному отжигу. Журнал прикладной спектроскопии. 2024;91(6):804-812.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Гипердопирование кремния с помощью имплантации ионов селена и марганца и импульсного лазерного отжига
Ван Тин , Комаров Ф. Ф., Пархоменко И. Н.,
Структурные и оптические свойства оксида кремния, имплантированного ионами цинка: влияние степени пересыщения и термообработки
Моховиков М. А., Мильчанин О. В., Пархоменко И. Н.,
АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ КИСЛОРОДА И ГЕЛИЯ, МЕТОДОМ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ
Базаров В. В., Нуждин В. И., Валеев В. Ф.,

Источник

Информация

Автор
  • Баталов Р. И. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
  • Базаров В. В. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
  • Нуждин В. И. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
  • Валеев В. Ф. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
  • Новиков Г. А. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
  • Шустов В. А. Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр РАН”
  • Галкин К. Н. Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН
  • Чистохин И. Б. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
  • Комаров Ф. Ф. Институт прикладных физических проблем имени А. Н. Севченко Белорусского государственного университета
  • Мильчанин О. В. Институт прикладных физических проблем имени А. Н. Севченко Белорусского государственного университета
  • Пархоменко И. Н. Белорусский государственный университет
Страницы
  • 804-812
Год издания
  • 2024
Ключевые слова
Коллекции
© 2024 - 2025