17 Баталов Р. И. Базаров В. В. Нуждин В. И. Валеев В. Ф. Новиков Г. А. Шустов В. А. Галкин К. Н. Чистохин И. Б. Комаров Ф. Ф. Мильчанин О. В. Пархоменко И. Н. кремний антимонид индия наночастица ионная имплантация импульсная ионная обработка плавление кристаллизация оптическое поглощение инфракрасный фотодиод 2024 2024-11-15 Журнал прикладной спектроскопии Для синтеза в приповерхностной области монокристалла кремния слоя узкозонного антимонида индия (InSb) проведена последовательная высокодозная имплантация кремния ионами In+ и Sb+ с энергией 30 кэВ и дозой 2 ∙ 1016 см–2. Отжиг имплантированных слоев Si:(In+Sb) в жидкофазном режиме проведен мощным импульсным (~100 нс) ионным пучком (C+/H+) с энергией 300 кэВ и плотностью энергии импульса 1.0 Дж/см2. Расчет суммарного глубинного профиля концентрации имплантированных атомов In и Sb с учетом распыления показал их максимальную концентрацию 40 ат.% на глубине ~20 нм. Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов He+ обнаружена сегрегация примесных атомов к поверхности Si в результате импульсного отжига. Спектры рентгеновской дифракции в скользящих лучах и комбинационного рассеяния света указывают на формирование фазы InSb с уровнем деформации растяжения 0.6—0.7 %. С помощью оптических  ИК-спектров оценена концентрация электронов в слое 2 ∙ 1020 см–3 за счет донорной примеси Sb и показано образование интенсивной полосы поглощения при 3.85 мкм. Измерения фотоотклика на диодной меза-структуре при 300 К показали сдвиг края фоточувствительности до 1240 нм по сравнению с типовым Si-фотодиодом ФД-24.  https://www.academjournals.by/publication/15238 https://www.academjournals.by/files/15197