ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДВУМЕРНЫХ КРИСТАЛЛОВ SnS

ШАПОШНИКОВ В. Л.; КРИВОШЕЕВА А. В.; БОРИСЕНКО В. Е.

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДВУМЕРНЫХ КРИСТАЛЛОВ SnS

ШАПОШНИКОВ В. Л., КРИВОШЕЕВА А. В., БОРИСЕНКО В. Е.

2016

Теоретическим моделированием определена электронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов сульфида олова (SnS). Рассмотрены низкотемпературная α-SnS и высокотемпературная β-SnS фазы. Обнаружено, что все структуры являются полупроводниками и при увеличении толщины кристаллов характеризуются уменьшением ширины запрещенной зоны до значений, типичных для объемного материала. Рассчитанные значения коэффициентов отражения меньше значений в объемных материалах, а коэффициент поглощения света сопоставим с характеристиками объемного SnS и GaAs.

ШАПОШНИКОВ В. Л., КРИВОШЕЕВА А. В., БОРИСЕНКО В. Е. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДВУМЕРНЫХ КРИСТАЛЛОВ SnS. Доклады Национальной академии наук Беларуси. 2016;60(4):50-55.

Цитирование

Список литературы

1. High-efficient low-cost photovoltaics: recent developments / eds. by V. Petrova-Koch, R. Hezel, A. Goetzberger. – Berlin-Heidelberg: Springer-Verlag, 2008. – Vol. 140. – 228 p.

2. Madelung, O. Semiconductors: data handbook / O. Madelung. – Berlin-Heidelberg: Springer, 2004. – 691 p.

3. Thermoelectrics with earth abundant elements: low thermal conductivity and high thermopower in doped SnS / Q. Tan [et al.] // J. Mater. Chem. A. – 2014. – Vol. 2. – P. 17302– 17306.

4. Vapor transport deposition and epitaxy of orthorhombic SnS on glass and NaCl substrates / A. Wangperawong [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2013. – Vol. 103, N 5. – P. 052105 (5).

5. Growth of high-quality SnS epitaxial films by H2S flow pulsed laser deposition / F.-Y. Ran [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 2014. – Vol. 104, N 7. – P. 072106 (4).

6. Optical properties of thermally evaporated SnS thin films / M. M. El-Nahass [et al.] // Optical Materials. – 2002. – Vol. 20, N 3. – P. 159–170.

7. Preparation and properties of SnS film grown by two-stage process / F. Jiang [et al.] // Appl. Surf. Sci. – 2011. – Vol. 257, N 11. – P. 4901–4905.

8. Cheng, Sh. Physical properties of very thin SnS films deposited by thermal evaporation / Sh. Cheng, G. Conibeer // Thin Solid Films. – 2011. – Vol. 520, N 2. – P. 837–841.9. Structure, electronic and optical properties of tin sulfide / V. L. Shaposhnikov [et al.] // ScienceJet. – 2012. – Vol. 1. – P. 16 (4).

9. Molecular beam epitaxy growth of high quality p-doped SnS van der Waals epitaxy on a graphene buffer layer / W. Wang [et al.] // J. Appl. Phys. – 2012. – Vol. 111, N 9. – P. 093520 (8).

10. Vertical Heterostructures of layered metal chalcogenides by van der Waals epitaxy / X. Zhang [et al.] // Nano Lett. – 2014. – Vol. 14, N 6. – P. 3047–3054.

11. Band gap modifications of two-dimensional defected MoS2 / A. V. Krivosheeva [et al.] // Int. J. Nanotechnol. – 2015. – Vol. 12, N 8/9. – P. 654–662.

12. Kresse, G. Efficient interactive schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set / G. Kresse, J. Furthmüller // Phys. Rev. B. – 1996. – Vol. 54, N 16. – P. 11169–11186.

13. Perdew, J. P. Generalized gradient approximation made simple / J. P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof // Phys. Rev. Lett. – 1996. – Vol. 77, N 18. – P. 3865–3868.

14. WIEN2k, An augmented plane wave + local orbitals program for calculating crystal properties / P. Blaha [et al.] (Karlheinz Schwarz, Techn. Universität Wien, Austria), 2001. ISBN 3-9501031-1-2.

Источник

Информация

Автор

ШАПОШНИКОВ В. Л. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
КРИВОШЕЕВА А. В. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
БОРИСЕНКО В. Е. Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Страницы

50-55

Год издания

2016

Ключевые слова

Коллекции

Доклады Национальной академии наук Беларуси