<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>ШАПОШНИКОВ В. Л.</author>
     <author>КРИВОШЕЕВА А. В.</author>
     <author>БОРИСЕНКО В. Е.</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДВУМЕРНЫХ КРИСТАЛЛОВ SnS</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>сульфид олова</keyword>
    <keyword>двумерный кристалл</keyword>
    <keyword>зонная структура</keyword>
    <keyword>диэлектрическая функция</keyword>
    <keyword>коэффициент отражения</keyword>
    <keyword>коэффициент поглощения</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2016</year>
    <pub-dates>
     <date>2016-10-28</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Доклады Национальной академии наук Беларуси</journal>
   <abstract>Теоретическим моделированием определена электронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов сульфида олова (SnS). Рассмотрены низкотемпературная α-SnS и высокотемпературная β-SnS фазы. Обнаружено, что все структуры являются полупроводниками и при увеличении толщины кристаллов характеризуются уменьшением ширины запрещенной зоны до значений, типичных для объемного материала. Рассчитанные значения коэффициентов отражения меньше значений в объемных материалах, а коэффициент поглощения света сопоставим с характеристиками объемного SnS и GaAs.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/publication/2916</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://www.academjournals.by/files/2899</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
