ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА БАРИЯ II. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛОСЫ ПЕРЕХОДОВ И ИХ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

Соболев В. В.; Мерзляков Д. А.; Соболев В. Вал.

ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА БАРИЯ II. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛОСЫ ПЕРЕХОДОВ И ИХ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

Соболев В. В., Мерзляков Д. А., Соболев В. Вал.

2017

Спектральные зависимости мнимых частей диэлектрической проницаемости ε2 (E), объемных (-Imε-1) и поверхностных (-Im(1+ε)-1) характеристических потерь энергии электронов кристалла селенида бария разложены на 34 элементарные полосы в области 3-5.5 эВ при 2 К и в области 5.5-26 эВ при 77 К усовершенствованным методом объединенных диаграмм Арганда. Для каждой полосы спектров трех типов определены энергии максимумов Ei, полуширины Hi, амплитуды Ii, площади Si и силы осцилляторов fi. Параметр fi рассчитан по модифицированной формуле, известной для эффективного количества валентных электронов neff(E). Установлены основные особенности 34 элементарных полос селенида бария в области 3-26 эВ, обусловленных экситонами и междузонными переходами поперечного и продольного типа.

Соболев В. В., Мерзляков Д. А., Соболев В. Вал. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА БАРИЯ II. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛОСЫ ПЕРЕХОДОВ И ИХ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ. Журнал прикладной спектроскопии. 2017;84(2):233-239.

Цитирование

Список литературы

1. В. В. Соболев, В. В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников, Киев, Наукова думка (1988)

2. В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. I. Введение в теорию, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)

3. В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. II. Моделирование интегральных спектров элементарными полосами, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)

4. T. S. Moss. Optical Properties of Semiconductors, London, Butterworths Sc. Publ. (1959)

5. В. В. Соболев. Собственные энергетические уровни твердых тел группы A4, Кишинев, Штиинца (1978)

6. S. Singh, A. Vij, S. P. Lochab, R. Kumar, N. Singh. Mater. Res. Bull., 45, N 5 (2010) 523-527

7. H. J. Freund. Surf. Sci., 601, N 1 (2007) 1438-1445

8. J. S. Elfimov, S. Yunoki, G. A. Sawatzky. Phys. Rev. Lett., 89, N 21 (2002) 216403(4)

9. J. Osorio-Guillen, S. Lany, S. V. Barabash, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 96, N 10 (2006) 107203(4)

10. M. Dadsetani, A. Pourghazi. Opt. Commun., 266, N 2 (2006) 562-564

11. M. Dadsetani, A. Pourghazi. Physica B, 370 (2005) 35-45

12. H. Nejatipour, M. Dadsetani. Phys. Scr., 90, N 8 (2015) 085802(16)

13. Y. Kaneko, T. Koda. J. Crystal. Growth, 86, N 1 (1988) 72-78

14. Y. Kaneko, K. Morimoto, T. Koda. J. Phys. Soc. Jpn., 52, N 12 (1983) 4385-4396

15. V. Val. Sobolev, V. V. Sobolev. Semiconduct. Semimet., 79 (2004) 201-228

16. A. I. Kalugin, V. V. Sobolev. Phys. Rev. B, 71, N 11 (2005) 115112(7)

17. С. В. Шушков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. VIII междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2012) 364-366

18. Д. А. Мерзляков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. IX междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2014) 372-374

19. В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков, Д. А. Мерзляков, В. Вал. Соболев, Д. В. Анисимов, Е. А. Антонов. Сб. тр. X междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2016) 119-120

Источник

Информация

Автор

Соболев В. В. Удмуртский государственный университет
Мерзляков Д. А. Удмуртский государственный университет
Соболев В. Вал. Удмуртский государственный университет; Ижевский государственный технический университет им. М. Т. Калашникова

Страницы

233-239

Год издания

2017

Ключевые слова

Коллекции

Журнал прикладной спектроскопии